GL260 A-CN（10CH） / GL860 A系列 + GL-IV系列 ⽼化试验电流 监测方案

说明：本案例为代表性示意场景（基于真实产品能⼒），⽤于演示组合价值，⾮特定客户机密数据。⼀、本次⽅案涉及的三款产品GL260 A-CN（10CH）便携式多通道数据记录仪现场 TUS / ⽼化温度与电压GL860 A系列绝缘多通道数据记录仪20→200ch，可⾃由搭配模块GL-IV系列多通道电流模块μA 静态~100A，低压降⼆、客户背景与痛点客户画像（典型）：某⻋规级功率器件 / 封测⼚，产线有数⼗台⽼化箱（Burnin Oven），每箱并⾏数⼗块⽼化板，板上多颗 DUT（器件）需在⾼温下施加偏置电压进⾏ HTOL / Burnin 可靠性考核，并满⾜ AECQ100 可追溯要求。① 偏置电流监测难⽼化板多插座电流需逐路监控，防⽌单颗失效拖累整板μA 级静态电流（IDDQ）测不准，CMOS 缺陷漏检传统串联电阻法（分流器）⼤电流时压降⼤，⼲扰DUT ⼯作点② 温度与电流不同步炉温（9 点 TUS）与偏置电流分属两套设备，时间轴对不⻬⽼化数天~数周，需⻓时间连续记录且数据可溯源异常（过流 / 超温）⽆法联动报警、停炉三、⽅案配置：GL260 A-CN（10CH） / GL860 A系列 + GL-IV系列温度 + 电流 同⼀时间轴同步采集⽼化试验箱Burn-in OvenDUT ⽼化板 ×N⾼温 125~180℃热电偶 TC（温度）GL860 A系列 /GL260 A-CN（10CH）温度 + 偏置电压20~200ch 隔离GL-ConnectionPC 软件 · 同步合并邮件/超限报警电流传感GL-IV系列 电流模块μA~100A · 低压降 · 32ch设备 / 模块⻆⾊ 关键能⼒输出与追溯CSV/报告报警联动 PLCGL860 A系列（或便携 GL260A-CN（10CH））⾼精度端⼦台（选配）温度 + 偏置电压采集主机温度 / ⾼耐压接⼝GL-IV系列 电流模块多通道偏置电流采集20→200ch 隔离输⼊；电压 ±0.05% 满量程(F.S.)+10μV；热电偶 K 型典型 ±0.8℃（满⾜ 9 点 TUS）；可⾃由搭配 4 种模块提升温度测量精度、承受更⾼ DC 电压μA 静态 ~ 100A ⼯作电流；低压降不⼲扰 DUT；电流精度 ≤±1% 读数（多量程，各量程有保证区间）；⾼ 32ch；1ms+ 采样GL-Connection 软件数据合并 / 报警 / 导出多设备同步、邮件 / 超限报警、Direct Excel、CSV 溯源* 注：根据模块不同，精度不同，下列精度为各产品的⾼精度。电压精度为 ±(0.05% 满量程+10μV)，热电偶为温度精度（K 型典型 ±0.8℃）；GL-IV系列 电流精度为 ≤±1% 读数，按所选量程，且不含主机（数据采集仪）精度，各量程有保证区间，终以对应规格书为准。四、⽅案价值 · 相⽐传统分流电阻法针对第⼆节中的"偏置电流监测难、温度与电流不同步"等痛点，本⽅案可为您带来如下核⼼收益：μA 级静态电流 IDDQ 可测≤±1% 读数电流测量精度32ch单模块电流通道低压降不⼲扰 DUT ⼯作痛点传统分流电阻⼤电流测不准 / 压降⼲扰GL260 A-CN（10CH） / GL860 A系列 + GL-IV系列压降⼤，DUT 异常低压降，原样⼯作μA 静态电流（IDDQ）分辨率不⾜温度 + 电流同步两套设备对不⻬微安级精准捕捉同⼀时间轴⻓时⽼化记录存储受限TB 级连续记录五、典型适⽤客户与场景功率半导体⼚SiC / IGBT / 分⽴器件HTRB·HTGB 偏置监测，电流⼤、对压降敏感——本⽅案低压降不⼲扰器件，⼤电流也测得准。封测 OSATBurnin ⼯序多板多插座电流监控 +9 点 TUS 验证，温度电流同⼀时间轴，⻓时连续不丢数据。⻋规 / 第三⽅实验室AECQ100 可溯源温度 + 偏置曲线，合规报告⼀键导出，满⾜审计与交付要求。总结：本⽅案针对⽼化试验中的"偏置电流测不准、温度与电流对不⻬"两⼤难题——GL860 A系列（或便携GL260 A-CN（10CH））完成炉温 9 点 TUS 与偏置电压监测，GL-IV系列 电流模块以低压降⽅式把每块⽼化板从微安静态到百安⼯作的电流同步采下，温度与电流落在同⼀时间轴，⽀持数天~数周连续记录与超限⾃动报警。相⽐传统串联电阻法，不打扰器件⼯作点、IDDQ 微安级可测，且数据全程可溯源，助⼒ AEC-Q100 等可靠性验证合规交付。